重生之信息帝國 第二五三章 PECVD設備

    鞠躬感謝(稻草人)大大100的打賞。

    這兩天在忙活公司營業執照年審,所以更新可能有點不正常,還請諒解。

    實際上,在前世TFT-LCD液晶面板生產線中應用的CVD技術和設備最多的是PECVD,也就是等離子增強化學氣相沉積法,因為無論是常壓化學氣相沉積法,還是低壓化學氣相沉積法,在實際應用中的用處都不是很大,這主要是因為後世的TFT-LCD液晶面板所用的玻璃基板大都是鹼性玻璃的緣故,因為無論是常壓化學氣相沉積法還是低壓化學氣相沉積法,在鍍膜的時候都不適用於鹼性玻璃,雖說在前幾代線的時候還能用得上,但隨着技術的不斷發展,這兩種CVD技術的局限性就凸顯了出來,畢竟這兩種技術只能單獨的針對某一個鍍層,因此在後幾代線中,這兩種CVD技術和設備基本上就用不到了

    而等離子增強化學氣相沉積法則沒有這種局限性,最關鍵的是,這TFT-LCD液晶面板製程中所需要的四層非金屬鍍膜,都能夠用PECVD來解決,因此在前世,5代線之後的CVD設備,大都是採用PECVD技術而製造的CVD設備了。

    當然在目前,除了李想知道這個事情之外,其他的人還並不知道這種事情,因此包括曰本人在內,都認為這三種CVD技術是必不可少的。不過,這次李想倒是發了善心,畢竟小曰本這次很大方,不僅同意了原本計劃中的2代線,而且還附帶了一條玻璃基板生產線,同時小曰本還同意從未來實業採購CVD設備。最關鍵的是,據李想所知,小曰本在得到了那三套CVD技術之後,立刻就開始組織相關人員進行技術攻關,試圖自己來製造CVD設備,只不過小曰本似乎並不知道PECVD才是最關鍵的設備,因此他們是三種設備一起研發,導致了整體研發進程的緩慢。

    技術是技術,要把技術轉化成為真正的產品,並不是那麼容易就能做到的。

    正是因為如此,李想才難得的發了一次善心,打算直接將PECVD設備賣給小曰本。畢竟以小曰本的實力而言,早晚也會發現其他兩種CVD技術的不足之處,從而開始專心鑽研PECVD技術。這是早晚的事情,不過再晚,小曰本也會走到前世的道路上去的。

    前世世界上最大的兩家CVD設備製造商,一個是美國應材公司下屬的曰本子公司AKT,一個也是同樣來自於曰本的曰本真空技術株式會社,也就是ULVAC。這兩個公司一個世界排名第一,一個世界排名第二,幾乎壟斷了全球的CVD設備製造,由此可見小曰本的實力還是非常強大的。

    反正這輩子華夏也要和曰本以及棒子國爭奪TFT-LCD行業的霸主地位,而且現在華夏落後曰本並不遠,所以李想乾脆也不玩那些虛的了,直接就在2代線上主推出PECVD設備。基於其他兩種技術的CVD設備李想同樣也會拿出來的,至於小曰本怎麼選擇,那就是小曰本你們自個兒的事情了,別到時候給小曰本留下什麼把柄。

    咱三種設備都有,而且給你們推薦的是PECVD設備,你們非要自個兒全都買,等你們發現其他兩種CVD設備不是很實用之後,那可就別怪哥們了。誰讓你們不聽哥們的推薦呢!

    當然,PECVD設備的售價也要比其他兩種CVD設備的售價稍微高上那麼一點兒。其他兩種CVD設備的售價均為1000萬美元一套,而一台PECVD設備的售價是1100萬美元!

    相比於PECVD設備,另外兩種CVD設備無疑要簡單了一些,因此只要能夠製造出合格的PECVD設備來,那麼另外兩種設備自然是手到擒來的事情。所以,李想和宏達電子機修部的主任劉志這次來到一機床,拿的就是PECVD設備的圖紙。

    一台PECVD設備的個頭是相當大的,也是所有三種設備中個頭最大的。李想拿出來的這套設計圖紙,如果一機床能夠造出來的話,那麼這個大傢伙將會擁有7.8米的寬度,10.8米的長度以及3.2米的高度,而它的總重量也會達到恐怖的53噸!

    這個尺寸說起來有些模糊,換算成一下實際的,那就是大傢伙兒應該都見過平房吧,就是那種寬3.5米,長大概在5.5米左右的平房,差不多四間這麼大的平房才能夠擺下這麼一個大傢伙!


    沒有辦法啊,因為所有的鍍膜工作都會在這個大傢伙的內部發生的,而且鍍膜的時候對於無塵環境的要求極高,因此這個大傢伙有很大一部分都屬於高潔淨度的潔淨室甚至是真空環境。再加上工作腔在進行反應的時候,會產生極大的熱量,因此光是冷卻部分,也要佔據極大的空間。

    這個大傢伙主要有五個工作室組成的,這五個工作室中有兩個是工藝室,是專門用於給玻璃基板進行鍍膜反應的反應腔,還有一個是裝載腔,是用來裝載玻璃基板的;一個傳送腔,是用來把裝載腔的玻璃基板傳送到工藝室中進行鍍膜反應的;最後一個就是卸載腔,功能就是將反應完成的玻璃基板卸載出設備的。

    裝載腔裏面有二十個格子,裏面可以一次性盛放二十片基板,整個裝載腔是真空環境,一個真空泵和一個大氣羅茨泵在基板放好了,艙門關閉之後,可以將整個裝載腔內的空氣抽出。在裝載腔的外部有和腔室底部的波紋管相通的氮氣管道,是用來控制腔室內基板放置的高度的;還有排氣管道,是用來恢復大氣狀態的,另外還有皮拉尼真空計和B-A真空計。

    傳送腔,裏面的主要部件就是一個真空機械手,在外面還有兩個大氣機械手,這種機械手其實很簡單,由支架、碳素鋼叉和導軌組成的。支架上面有十層碳素鋼叉,為了保證基板的平穩,每層的碳素鋼叉有四根,這樣一個支架上面就是足足四十根碳素鋼叉。之所以採用了碳素鋼,就是為了增加支架的剛度,減少基板和叉子的下垂度,畢竟一片玻璃基板的重量也是很大的。

    至於最重要的工藝室,裏面的設計就更複雜了。一個工藝腔是由十個反應室和十個冷卻箱組成的,各自之間通過鉸鏈相互連接,具體的佈局就是一層冷卻箱一層反應室然後再一層冷卻箱,這樣可以保證充分的冷卻。反應室的門是由彈簧和鋁金屬板構成的,通過彈簧將鋁金屬板壓在腔上,保持關閉狀態,以減少工藝腔的泄漏率。

    十個反應室是平行並列的,因此可以同時進行四層膜的反應,而不會產生交叉污染。只不過,每個反應室內部的高度都不是很高,只有不到30毫米的高度,因此在裝卸基板的時候必須要小心,避免基板受到傷害。

    除了這些主要的腔室之外,這個大傢伙還集成了供氣系統、排氣系統、除害系統、水循環系統以及一些附件。總得來講,是一套比較複雜的設備。但這套設備對於加工精度的要求並不是那麼高,比起前段時間一機床給宏達電子加工的那台內存顆粒觸點處理機來,這套PECVD設備的加工精度要差的遠了。

    畢竟這玩意兒的主要作用是用來進行離子反應的,而不是和內存生產線中的內存顆粒觸點處理機那麼要求工作精度的,因此這套設備的加工工藝並不難。

    這套設備之所以能賣出天價來,主要就是裏面的核心反應室的設置,也就是工藝氣體進入到反應室之後的反應過程。參與離子反應的工藝氣體,根據不同的鍍膜需求,是要選用不同的工藝氣體的,矽烷、磷烷、氨氣、笑氣、氮氣、氫氣,每一種工藝氣體在反應室里的加溫溫度都是不一樣的,所產生的等離子狀態也是不一樣的,產生的鍍膜效果也是不一樣的。

    雖說從技術上來講這個過程在這套設備中是可控的,但只有徹底掌握了這套技術的人,才能夠將這個反應過程控制住。如果你吃不透這套技術的話,那麼你生產出來的設備就無法將這個過程可控。

    即便是小曰本現在已經獲得了專利授權,但他們造出來的設備要想達到可控狀態,還必須要經過調控,這種調控是有竅門的,你不失敗個幾百上千次,你絕對是掌握不住這裏面的竅門的。而李想偏偏就因為前世和劉軍的關係,知道了如何對PECVD設備中反應室的反應過程進行可控的竅門,因此李想才有把握讓小曰本乖乖的來買自個兒的設備。

    對於這一點,李想是毫不懷疑的,因為前世和劉軍聊天的時候,劉軍曾經給他講過這方面的事情。當時即便是應用於TFT-LCD工藝製程中的CVD設備的研發者——AKT公司,也是經過了好長時間的嘗試之後,才徹底掌控了這套技術,並掌握了其中的關鍵竅門。現在換成曰本的那些液晶面板生產商,他們的技術恐怕還不如AKT公司的技術人員呢!

    現在李想更關注的是,一機床這個接待自個兒的生產廠長還有那個總工能不能將這套圖紙成功的轉化成為真正的設備。

    事實上這套圖紙劉志已經送過來快一個星期了,一機床的工程師在保密的前提下經過了好幾天的攻關,總算是給了李想一個滿意的答案,那就是他們可以將圖紙上的東西變成真正的設備!

    當然,在最關鍵的反應室調控方面,李想還得專門培養幾個工程師,用來專門進行調控的!



第二五三章 PECVD設備  
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