千禧年半導體生存指南 第一百三十二章 提前截胡台積電（4K）

    「你怎麼知道採用arf技術會造成更多的線邊波動和不規則性？

    關於arf技術路線，在ieee的雜誌上有，但是無論是尼康還是佳能的工程師發表在上面的論文，都只說了好處沒有說缺陷。」林本堅驚訝地問。

    周新說：「尼康和佳能為了誤導競爭對手，故意不談arf技術路線的缺點。

    為的就是讓競爭對手也踩到這個坑裏去。

    他們已經投入了大筆研發經費到arf技術路線，沒有找到辦法解決arf光源帶來的線邊波動和不規則性問題，所以他們認為其他競爭對手也解決不了這個問題。」

    林本堅默默點頭：「沒錯。

    就是這樣。」

    周新繼續說：「在技術路線上誤導競爭對手，這不是集成電路領域的常規操作嗎？」

    林本堅還是很好奇，他知道arf技術路線的缺陷，是因為他從事這個領域的研究超過二十年，他有大量的人脈。

    由於保密協議的緣故，他的朋友無法直接告訴他，只能通過暗示的方式，向他透露arf技術路線有重大缺陷。

    他對此也只是猜測，沒有證據的猜測。

    為什麼周新能夠說得如此篤定，並且把arf技術路線的缺陷也說得如此清楚。

    要知道有資格進行arf技術路線實驗的實驗室，也就那幾家光刻機公司。

    周新戰術喝水之後說：「林伯，我知道你在想什麼，我是不是買通了尼康的技術人員，從他們那獲得了技術機密。

    實際上arf技術路線的缺陷，這很容易就推理出來。

    arf光源的波長為193納米，相較於krf光源的248納米波長更短。短波長光源在光刻過程中，顯然會受到更嚴重的散射、衍射和光學近場效應的影響，導致圖案傳輸過程中的線邊波動和不規則性增加。

    同時使用arf光源的光刻技術用於更先進的製程節點中，這導致晶圓需要實現更高的解像度。

    隨着尺寸的縮小，光刻過程中的圖案邊緣更容易受到光學近場效應、衍射和光刻膠吸收等因素的影響，從而導致線邊波動和不規則性。

    這是基於物理知識的推論。」

    林本堅鼓掌，「精彩的推演和敏銳的洞察力。

    當時正明和我說他從燕大找到了天才學生的時候，我還在想到底有多天才，讓他那麼得意。

    你在這方面的天賦比我猜測的還要更出色。

    伱剛剛說的還差了兩點。

    一點是arf光源的波長更容易被光刻膠吸收，這會導致光刻膠的曝光不均勻，進而影響成像質量。所以需要專門針對arf光源設計專門的光刻膠。

    但是專門針對arf光源設計光刻膠，來減少吸收呢，新光刻膠又很有可能會進一步造成線邊波動和不規則性。

    另外採用arf來構建先進制程，會採用多重曝光技術、相位移光掩膜技術和偏振光技術等。

    這些技術一定程度上又會增加線邊波動和不規則性。

    所以造成線邊波動的原因比你猜測的更多。」

    周新問：「可是有這麼多困難，為什麼前輩你還是看好arf路線？」

    周新怎麼知道林本堅看好arf技術路線，因為林本堅這次在參加光學大會接受採訪的時候自己說的。

    「是幫光刻機公司打掩護嗎？」

    林本堅笑了：「我已經從ibm離職了，ibm這幾年也幾乎沒有在光刻機領域繼續投入了。

    我又沒有為尼康或者佳能工作，為什麼要幫他們打掩護。

    我當然是從我內心出發更加看好arf技術路線。

    我們剛剛說的是arf的缺點，這些缺點只是暫時的。

    在krf光源代替g線和i線的過程中，同樣有很多困難。」

    g線是436nm波長的光源，i線是365nm波長的光源。

    「相對於g線和i線，krf需要新的光刻膠和抗反射塗層材料來適應krf光源的特性。

    同時krf要求更高性能的光學系統和光掩膜材料。當時需要採用更先進的透鏡和光學元件，以實現更高的數值孔徑和解像度。

    此外，光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。

    krf還需要優化曝光過程，以提高成像質量。我們當時主要採用了雙重曝光和離焦曝光技術來降低光刻誤差。

    讓我想想，對了，我們當時在研發krf光源的時候還要對控制進行考慮，因為krf實現了更高的解像度，所以需要更嚴格的製程控制要求。

    需要對光刻膠塗覆厚度、曝光劑量、顯影過程等參數進行更精確的控制，以保證光刻成像質量和產量。

    這麼多困難，我們照樣克服了，最終krf光源代替了g線和i線，成為了今天的最先進的製程光源。

    同樣未來短波長的光源勢必然會代替長波長的光源，這是技術進步的必然。

    我們剛剛討論的困難只是暫時的困難。」

    asml、尼康和佳能只是暫緩了在arf上的投入，而不是停止了在arf技術路線上的投入。

    後來asml實現彎道超車，也是因為他們選擇了正確的技術路線，arf光源以水為介質，在光刻膠上面抹一層水。

    水的介質折射率是1.44，193納米÷1.44≈134納米，arf光源的波長進一步減少了。

    asml能夠幹掉尼康和佳能，壟斷光刻機領域，他們在技術路線的兩個關鍵節點都做出了正確的選擇。

    應該穩健的時候他們比尼康穩健，從而在光刻機市場站穩了腳跟。

    應該激進的時候他們比尼康激進，從而佔據了高端市場，把高額利潤全部吃掉了，後續一直保持住了技術領先。

    arf技術路線突破之後，arf的波長是193nm，他最多能夠製造65nm的晶片。

    如果要製造40nm製程以下的晶片，需要找到160nm以下的光源。

    尼康和佳能等企業選擇的是157nm的f2激光，而asml找到了光源做介質直接一步到位了。

    當然沒有加一層水那麼簡單。

    「我關於arf技術路線一直認為是有辦法解決的。

    首先是需要專門針對arf光源設計對應的光刻膠，其次是研發抗反射塗層，然後是改進光刻機的光學系統，找蔡司定製更先進的透鏡。

    來實現更高的數值孔徑和解像度。

    同時在曝光過程中進行優化。我專門針對arf光源設計了一套解像度增強技術。

    包括輔助特徵、離軸照明、雙曝光技術等，用以改善圖案傳輸質量和提高解像度。」林本堅很興奮，難得見到這麼懂arf技術的同行。

    其他懂這玩意的都簽了保密協議，林本堅和他們聊的很不盡興。

    華國差的不僅僅是光刻機，差的是整個高端製造業，即便能造出光刻機，光學鏡頭也能卡你脖子。

    不過蔡司是德意志企業而且沒上市，阿美利肯的長臂管轄管不到蔡司。

    周新聽完之後感慨對方不愧是大師級人物，還沒有加入台積電已經有完整的計劃了。

    同樣一件事，有的人是紙上談兵，有的人是決勝千里之外。

    華國價值觀以結果為導向，周新知道林本堅未來的成就，更別說林本堅說的這些都是絕對的乾貨。

    又和林本堅探討了一番arf技術路線的未來後，周新問：「林伯，我打算成立一家光刻機公司，我需要真正懂行的人來幫我。

    你有沒有意願來幫我做事，我給你的職位是研發主觀。

    首批研發資金十億美元，我給你百分之二十的股份，但是你加入之後需要簽競業協議，同時我們的光刻機公司會放在華國。」

    林本堅聽完前半句話想馬上答應下來，十億美元的研發資金，百分之二十的股份。

    這是何等的信任，光是十億美元的研發資金，這家企業也最少值10億美元。

    直接就是給你兩個億。

    聽完後半句他心一涼：「newman，我知道你是華國人，希望幫助華國在半導體領域有所發展。

    我也是華裔，在有能力和有機會的前提下，我同樣希望為華國的半導體行業發展進步貢獻自己的力量。

    但是光刻機的研發，非常依賴於和晶片製造廠商之間的合作。

    華國沒有什麼成熟的晶片製造廠商，我們把研發基地放在華國，很難有所進展。

    不管我是否答應你的條件，我都建議你放在彎彎或者阿美利肯。

    彎彎有台積電，阿美利肯有英特爾的晶片代工廠。

    在這兩個地方，你才有機會把你的產品在生產環境中經過充分的實驗。」

    asml的研發中心遍佈全球。

    周新說：「世大半導體的張汝京在籌備回華國成立晶片代工廠的事情。

    他們的選址、資金和團隊都已經就位了。

    我們前期籌備階段和實驗室研發階段，這個時期是不需要和代工廠合作的。

    我們的進度會比張汝京那邊的進度更慢，等到我們的實驗室產物研發出來之後，正好可以送到他們那裏去進行驗證。

    張汝京的晶片代工廠，剛剛起步的時候我們才有機會進去。

    無論是台積電、英特爾還是三星，他們都很難給一家新成立的光刻機公司機會。

    讓我們的實驗室產物介入他們的生產流程中。

    反而在我看來，華國才是機會所在，我們需要藉助華國的代工廠打出名氣，然後才有機會和其他的晶片代工廠合作。

    這也是農村包圍城市的打法。」

    為什麼華國的光刻機是實驗室產物，因為沒有在生產環境中經過充分驗證。

    因此asml對華國禁運從某種意義上來說是好事，如果不禁運，華國自主研發的光刻機永遠都不會有機會進入到生產流程中。

    林本堅說：「你要成立的光刻機公司現在有多少人？」

    周新說：「你是第一個，你負責把研發團隊搭建起來，你是研發主管。

    我會給你完全的信任和自主權。

    我只會在研發方向上給我的建議和思考。」

    林本堅聽完有點無語，說白了只有錢沒有人。

    「我需要時間來思考。

    newman既然你邀請了我，那麼我也不介意把話說得更直接。

    對於一家光刻機公司來說，十億美元可能只是前期研發的投入，如果我們不能早點實現盈虧平衡，不能製造出可以進入生產環境的光刻機。

    那未來需要你不斷投入研發費用，或者直接解散公司。

    因此10億美元只是入場券，靠產品實現盈虧平衡才代表這家光刻機公司活了下來。

    其次即便我們成立公司，還是有很多無法繞過的專利需要向尼康、asml、ibm、德州儀器這些公司買，購買專利使用權。

    我們不可能所有技術都靠自己來研發。

    當然未來我們研發出來的技術，他們要使用也需要向我們繳納專利使用費。

    另外你開的待遇很高，我還是第一次收到這麼高待遇的offer。

    從待遇的角度出發，絕對是能夠讓我滿意的。

    我成立的林創都快八年時間了，估值連五千萬美元都沒有。

    只是我一個人主導這件事，我不確定自己能幹好。

    我其實沒有太多管理的經驗，我只管理過幾個人的研發團隊，管理一家光刻機公司的研發團隊，這個規模的管理工作我沒有做過。

    負責一家光刻機公司所有研發人員從零開始的團隊構建，我就更沒有做過了。

    我擔心自己做不好。」

    周新不擔心，林本堅加入台積電之後最高做到了台積電的副總裁。

    台積電這個體量的公司，副總裁可比他們要成立的光刻機公司要管的人多得多。

    周新說：「我充分地相信你有這個能力。

    管幾個人和管幾十個人，其實差不多，你只需要把主管管好就行。

    另外我會幫你找一個足夠出色的幫手，他會和你一起負責公司的組建和管理。」

    林本堅好奇問：「誰？我認識嗎？正明嗎？

    你勸他也離開伯克利，來和你一起創業嗎？

    正明比我要好一些，思略半導體要比林創更有價值，估值也要高得多。

    正明現在應該還沒有另外再開始管一家公司的念頭吧」

    周新搖頭：「不是胡教授，我不知道你認不認識。

    他是彎彎人，之前在加州那邊的半導體公司做模擬ic設計。

    關建英，你認識嗎？」

    林本堅說：「我好像有點印象，但是肯定不熟，最多是見過。」

    是的，周新剛得知的消息，老關被人趕出來了。

    這是補昨天的，今天更了1w，昨天的4k加今天的6k。

    本來中間一度想擺爛，最終還是咬牙堅持下來了。

    即便周末，寫一萬字還是很累。

    最後求個月票！

    (本章完)

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